NetBLOOM有限会社ネットブルーム - 仮想化,クラウド時代のトータルITコンサルタント - インテルとSTマイクロエレクトロニクス、相変化メモリの密度倍増方法を開発
HOME
>
ITニュース
>
ZDNet Japan ニュース
>
切り抜き一覧
> インテルとSTマイクロエレクトロニクス、相変化メモリの密度倍増方法を開発
切り抜き詳細
発行日時
2008-2-6 16:48
見出し
インテルとSTマイクロエレクトロニクス、相変化メモリの密度倍増方法を開発
リンクURL
http://feeds.japan.zdnet.com/~r/zdnet/news/~3/1205453/0,2000056184,20366714,00.htm
記事詳細
インテルとSTマイクロエレクトロニクスは、相変化メモリのメモリセル1つに複数ビットを記録する方法を開発した。これにより相変化メモリの密度倍増に大きく近づいた。
新着情報履歴
会社概要
ソリューション
サービス
取扱商品
ITニュース
IT Media速報
IT Media国内記事
ZDNet Japan ニュース
BLOOMログ
リンク集
お問合せ
Copyright © 2007 NetBLOOM有限会社ネットブルーム - 仮想化,クラウド時代のトータルITコンサルタント All Right Reserved.